1N5621US

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N5621US
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Datenblätte:	1N5621US.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	7691 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7691 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von 1N5621US

Artikelnummer	1N5621US	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 1A D5A	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	7691 pcs	Datenblatt	1N5621US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6V @ 3A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	800V
Supplier Device-Gehäuse	D-5A	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	300ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SQ-MELF, A
Betriebstemperatur - Anschluss	-65°C ~ 175°C	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	500nA @ 800V
Strom - Richt (Io)	1A	Kapazität @ Vr, F	20pF @ 12V, 1MHz

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