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APT12M80B

MicrosemiMicrosemi
APT12M80B Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: APT12M80B
Hersteller / Marke: Microsemi
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Datenblätte: 1.APT12M80B.pdf2.APT12M80B.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 5248 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5248 pcs
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Spezifikationen von APT12M80B

Artikelnummer APT12M80B Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5248 pcs Datenblatt 1.APT12M80B.pdf2.APT12M80B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]
Serie POWER MOS 8™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 335W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLBETRAG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX www.FedEx.com Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL www.DHL.com Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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