APT25GP90BG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT25GP90BG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT 900V 72A 417W TO247
Datenblätte:	APT25GP90BG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5046 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5046 pcs

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Spezifikationen von APT25GP90BG

Artikelnummer	APT25GP90BG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 900V 72A 417W TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5046 pcs	Datenblatt	APT25GP90BG.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	900V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 25A
Testbedingung	600V, 25A, 5 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	13ns/55ns
Schaltenergie	370µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 7®	Leistung - max	417W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Andere Namen	APT25GP90BGMI APT25GP90BGMI-ND	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	PT	Gate-Ladung	110nC
detaillierte Beschreibung	IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]	Strom - Collector Pulsed (Icm)	110A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	72A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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