APT35GA90B

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT35GA90B
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT 900V 63A 290W TO-247
Datenblätte:	APT35GA90B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	22029 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22029 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

120 pcs: $1.789

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Spezifikationen von APT35GA90B

Artikelnummer	APT35GA90B	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 900V 63A 290W TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	22029 pcs	Datenblatt	APT35GA90B.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	900V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	3.1V @ 15V, 18A
Testbedingung	600V, 18A, 10 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	12ns/104ns
Schaltenergie	642µJ (on), 382µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 [B]
Serie	POWER MOS 8™	Leistung - max	290W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	PT	Gate-Ladung	84nC
detaillierte Beschreibung	IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]	Strom - Collector Pulsed (Icm)	105A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	63A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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