APT45GR65SSCD10

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT45GR65SSCD10
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5671 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5671 pcs

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Spezifikationen von APT45GR65SSCD10

Artikelnummer	APT45GR65SSCD10	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5671 pcs	Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 45A
Testbedingung	433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	15ns/100ns
Supplier Device-Gehäuse	D3Pak	Serie	-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	80ns	Leistung - max	543W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	Standard	IGBT-Typ	NPT
Gate-Ladung	203nC	detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
Strom - Collector Pulsed (Icm)	224A	Strom - Kollektor (Ic) (max)	118A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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