APT60M80L2VRG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT60M80L2VRG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Datenblätte:	APT60M80L2VRG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5605 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5605 pcs

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Spezifikationen von APT60M80L2VRG

Artikelnummer	APT60M80L2VRG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5605 pcs	Datenblatt	APT60M80L2VRG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	264 MAX™ [L2]
Serie	POWER MOS V®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 32.5A, 10V
Verlustleistung (max)	833W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	590nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 65A (Tc) 833W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	65A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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