APT66F60L

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT66F60L
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
Datenblätte:	APT66F60L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5255 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5255 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

25 pcs: $7.108

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Spezifikationen von APT66F60L

Artikelnummer	APT66F60L	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 70A TO-264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5255 pcs	Datenblatt	APT66F60L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264 [L]
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)	1135W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	27 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13190pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	70A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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