APTC60AM42F2G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTC60AM42F2G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
Datenblätte:	APTC60AM42F2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4328 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4328 pcs

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Spezifikationen von APTC60AM42F2G

Artikelnummer	APTC60AM42F2G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4328 pcs	Datenblatt	APTC60AM42F2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 6mA	Supplier Device-Gehäuse	SP2
Serie	CoolMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 33A, 10V
Leistung - max	416W	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	SP2	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	510nC @ 10V	Typ FET	2 N Channel (Phase Leg)
FET-Merkmal	Super Junction	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 600V 66A 416W Chassis Mount SP2	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	66A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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