APTGF50H60T2G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGF50H60T2G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
Datenblätte:	APTGF50H60T2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5051 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5051 pcs

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Spezifikationen von APTGF50H60T2G

Artikelnummer	APTGF50H60T2G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5051 pcs	Datenblatt	APTGF50H60T2G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device-Gehäuse	SP3	Serie	-
Leistung - max	250W	Verpackung / Gehäuse	SP3
Betriebstemperatur	-	NTC-Thermistor	Yes
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	2.2nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	NPT
detaillierte Beschreibung	IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3	Strom - Collector Cutoff (Max)	250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	65A	Konfiguration	Full Bridge Inverter

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