APTGT100DH60T3G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGT100DH60T3G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOD IGBT 600V 150A SP3
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3960 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3960 pcs

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Spezifikationen von APTGT100DH60T3G

Artikelnummer	APTGT100DH60T3G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOD IGBT 600V 150A SP3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3960 pcs	Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse	SP3	Serie	-
Leistung - max	340W	Verpackung / Gehäuse	SP3
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)	NTC-Thermistor	Yes
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	6.1nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3	Strom - Collector Cutoff (Max)	250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	150A	Konfiguration	Asymmetrical Bridge

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Datenblätte

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