APTGT30TL601G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGT30TL601G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOD IGBT 600V 50A SP1
Datenblätte:	APTGT30TL601G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2789 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2789 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $12.34

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Spezifikationen von APTGT30TL601G

Artikelnummer	APTGT30TL601G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOD IGBT 600V 50A SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2789 pcs	Datenblatt	APTGT30TL601G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device-Gehäuse	SP1	Serie	-
Leistung - max	90W	Verpackung / Gehäuse	SP1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)	NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	1.6nF @ 25V	Eingang	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop	detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP1
Strom - Collector Cutoff (Max)	250µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	50A
Konfiguration	Three Level Inverter

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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