APTM20DHM20TG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM20DHM20TG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
Datenblätte:	APTM20DHM20TG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4279 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4279 pcs

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Spezifikationen von APTM20DHM20TG

Artikelnummer	APTM20DHM20TG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4279 pcs	Datenblatt	APTM20DHM20TG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP4
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 44.5A, 10V
Leistung - max	357W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP4	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	112nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 89A 357W Chassis Mount SP4	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	89A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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