APTM50AM19STG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM50AM19STG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Datenblätte:	APTM50AM19STG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5546 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5546 pcs

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Spezifikationen von APTM50AM19STG

Artikelnummer	APTM50AM19STG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5546 pcs	Datenblatt	APTM50AM19STG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA	Supplier Device-Gehäuse	SP4
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 85A, 10V
Leistung - max	1250W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP4	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	492nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal	Silicon Carbide (SiC)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 170A 1250W Chassis Mount SP4	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	170A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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