JAN1N6629US

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N6629US
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4181 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4181 pcs

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Spezifikationen von JAN1N6629US

Artikelnummer	JAN1N6629US	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4181 pcs	Datenblatt
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.4V @ 1.4A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	880V
Supplier Device-Gehäuse	D-5B	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/590	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	50ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	E-MELF
Andere Namen	1086-19990 1086-19990-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	-65°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2µA @ 880V
Strom - Richt (Io)	1.4A	Kapazität @ Vr, F	40pF @ 10V, 1MHz

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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