JAN2N3019S

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN2N3019S
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS NPN 80V 1A
Datenblätte:	JAN2N3019S.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3570 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3570 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von JAN2N3019S

Artikelnummer	JAN2N3019S	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS NPN 80V 1A	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3570 pcs	Datenblatt	JAN2N3019S.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-39
Serie	Military, MIL-PRF-19500/391	Leistung - max	800mW
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Andere Namen	1086-2341 1086-2341-MIL Q8035503 Q8545273	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	23 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 500mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	10nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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