JAN2N3507L

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN2N3507L
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS NPN 50V 3A TO5
Datenblätte:	JAN2N3507L.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5286 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5286 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von JAN2N3507L

Artikelnummer	JAN2N3507L	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS NPN 50V 3A TO5	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5286 pcs	Datenblatt	JAN2N3507L.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 250mA, 2.5A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-5
Serie	Military, MIL-PRF-19500/349	Leistung - max	1W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Andere Namen	1086-20854 1086-20854-MIL	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 1W Through Hole TO-5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 1.5A, 2V	Strom - Collector Cutoff (Max)	-
Strom - Kollektor (Ic) (max)	3A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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