JAN2N3637UB

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN2N3637UB
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS PNP 175V 1A
Datenblätte:	JAN2N3637UB.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4371 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4371 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von JAN2N3637UB

Artikelnummer	JAN2N3637UB	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS PNP 175V 1A	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4371 pcs	Datenblatt	JAN2N3637UB.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	175V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	3-SMD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/357	Leistung - max	1.5W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	3-SMD, No Lead
Andere Namen	1086-20895 1086-20895-MIL	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	23 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1.5W Surface Mount 3-SMD
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 50mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	10µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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