JANSR2N7380

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANSR2N7380
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Datenblätte:	JANSR2N7380.pdf
Zustand des Lagers	5880 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5880 pcs

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Spezifikationen von JANSR2N7380

Artikelnummer	JANSR2N7380	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	5880 pcs	Datenblatt	JANSR2N7380.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-257
Serie	Military, MIL-PRF-19500/614	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 14.4A, 12V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 75W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-257-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 12V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	14.4A (Tc)

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