MDS1100

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MDS1100
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
Datenblätte:	MDS1100.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	118 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 118 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

25 pcs: $318.926

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Spezifikationen von MDS1100

Artikelnummer	MDS1100	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	118 pcs	Datenblatt	MDS1100.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	65V	Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	55TU-1	Serie	-
Leistung - max	8750W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	55TU-1	Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Gewinnen	8.9dB
Frequenz - Übergang	1.03GHz	detaillierte Beschreibung	RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	20 @ 5A, 5V	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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