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SG2003J-883B

MicrosemiMicrosemi
SG2003J-883B Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: SG2003J-883B
Hersteller / Marke: Microsemi
Produktbeschreibung TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Datenblätte: SG2003J-883B.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 5055 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5055 pcs
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Spezifikationen von SG2003J-883B

Artikelnummer SG2003J-883B Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5055 pcs Datenblatt SG2003J-883B.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor-Typ 7 NPN Darlington Supplier Device-Gehäuse 16-CDIP
Serie - Leistung - max -
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Andere Namen 1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B		 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 350mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max) - Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLBETRAG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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