PMV65XP/MIR

Nexperia

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PMV65XP/MIR
Hersteller / Marke:	Nexperia
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V SOT23
Datenblätte:	PMV65XP/MIR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4516 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4516 pcs

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Spezifikationen von PMV65XP/MIR

Artikelnummer	PMV65XP/MIR	Hersteller	Nexperia
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V SOT23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4516 pcs	Datenblatt	PMV65XP/MIR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-236AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)	480mW (Ta), 4.17W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	934068504215	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	744pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.8A (Ta)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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