STB11NM60-1

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB11NM60-1
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Datenblätte:	STB11NM60-1.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4728 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4728 pcs

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Spezifikationen von STB11NM60-1

Artikelnummer	STB11NM60-1	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4728 pcs	Datenblatt	STB11NM60-1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK
Serie	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	160W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	497-5379-5 STB11NM60-1-ND
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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