STB200N4F3

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB200N4F3
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Datenblätte:	STB200N4F3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	33629 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33629 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $1.052

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Spezifikationen von STB200N4F3

Artikelnummer	STB200N4F3	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	33629 pcs	Datenblatt	STB200N4F3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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