STB21NM60ND

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB21NM60ND
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Datenblätte:	STB21NM60ND.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	28167 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28167 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB21NM60ND

Artikelnummer	STB21NM60ND	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	28167 pcs	Datenblatt	STB21NM60ND.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	FDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)	140W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-8471-2
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 17A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	17A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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