STB24N60DM2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB24N60DM2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Datenblätte:	STB24N60DM2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	51957 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51957 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB24N60DM2

Artikelnummer	STB24N60DM2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	51957 pcs	Datenblatt	STB24N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	FDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-15423-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1055pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
TNT	www.TNT.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.

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