STB30NM60N

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB30NM60N
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Datenblätte:	STB30NM60N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	9460 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9460 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB30NM60N

Artikelnummer	STB30NM60N	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	9460 pcs	Datenblatt	STB30NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max)	190W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-8474-6
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	25A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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