STB6N60M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB6N60M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V D2PAK
Datenblätte:	STB6N60M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	80041 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80041 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $0.253

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Spezifikationen von STB6N60M2

Artikelnummer	STB6N60M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	80041 pcs	Datenblatt	STB6N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (max)	60W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-13934-2 STB6N60M2-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	232pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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