STB6NM60N

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB6NM60N
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
Datenblätte:	STB6NM60N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	33455 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33455 pcs

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Spezifikationen von STB6NM60N

Artikelnummer	STB6NM60N	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	33455 pcs	Datenblatt	STB6NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	920 mOhm @ 2.3A, 10V
Verlustleistung (max)	45W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-8770-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.6A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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