STF7N60DM2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STF7N60DM2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET
Datenblätte:	STF7N60DM2.pdf
Zustand des Lagers	96823 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96823 pcs

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Spezifikationen von STF7N60DM2

Artikelnummer	STF7N60DM2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	96823 pcs	Datenblatt	STF7N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FP
Serie	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	25W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit	42 Weeks	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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