STI100N10F7

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STI100N10F7
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET
Datenblätte:	STI100N10F7.pdf
Zustand des Lagers	69798 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69798 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STI100N10F7

Artikelnummer	STI100N10F7	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	69798 pcs	Datenblatt	STI100N10F7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Verlustleistung (max)	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole	Hersteller Standard Vorlaufzeit	38 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 80A Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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