STL3N65M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STL3N65M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Datenblätte:	STL3N65M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	122353 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 122353 pcs

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Spezifikationen von STL3N65M2

Artikelnummer	STL3N65M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	122353 pcs	Datenblatt	STL3N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	22W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	42 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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