STP35N60M2-EP

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STP35N60M2-EP
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET
Datenblätte:
Zustand des Lagers	33099 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33099 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STP35N60M2-EP

Artikelnummer	STP35N60M2-EP	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	33099 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	MDmesh™ M2-EP	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Verlustleistung (max)	-	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit	42 Weeks	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-

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Nach dem Verkauf
Datenblätte

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLBETRAG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
TNT	www.TNT.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.

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