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STQ1HN60K3-AP

STMicroelectronicsSTMicroelectronics
STQ1HN60K3-AP Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: STQ1HN60K3-AP
Hersteller / Marke: STMicroelectronics
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Datenblätte: STQ1HN60K3-AP.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 156862 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 156862 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
2000 pcs
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Spezifikationen von STQ1HN60K3-AP

Artikelnummer STQ1HN60K3-AP Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 156862 pcs Datenblatt STQ1HN60K3-AP.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-92-3
Serie SuperMESH3™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 600mA, 10V
Verlustleistung (max) 3W (Tc) Verpackung Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Andere Namen 497-13784-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLBETRAG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL www.DHL.com Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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