STTH812G

STMicroelectronics

Bild kann Darstellung sein. Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Produktübersicht

Artikelnummer:	STTH812G
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Datenblätte:	STTH812G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5460 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5460 pcs

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Spezifikationen von STTH812G

Artikelnummer	STTH812G	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5460 pcs	Datenblatt	STTH812G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	8A
Spannung - Durchschlag	D2PAK	Serie	-
RoHS Status	Tube	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur - Anschluss	100ns	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	3 (168 Hours)	Hersteller-Teilenummer	STTH812G
Expanded Beschreibung	Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK	Diodenkonfiguration	8µA @ 1200V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2.2V @ 8A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	1200V (1.2kV)	Kapazität @ Vr, F	175°C (Max)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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