1N5809US.TR

Semtech

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N5809US.TR
Hersteller / Marke:	Semtech
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 100V 6A
Datenblätte:	1N5809US.TR.pdf
Zustand des Lagers	5820 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Artikelnummer	1N5809US.TR	Hersteller	Semtech
Beschreibung	DIODE GEN PURP 100V 6A	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	5820 pcs	Datenblatt	1N5809US.TR.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	875mV @ 4A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	100V
Supplier Device-Gehäuse	-	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	30ns
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SQ-MELF
Betriebstemperatur - Anschluss	-	Befestigungsart	Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit	46 Weeks	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 100V 6A Surface Mount	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 100V
Strom - Richt (Io)	6A	Kapazität @ Vr, F	60pF @ 5V, 1MHz

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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