| Artikelnummer | TSM061NA03CV RGG | Hersteller | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 98566 pcs | Datenblatt | TSM061NA03CV RGG.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 8-PDFN (3x3) |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 44.6W (Tc) | Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN | Andere Namen | TSM061NA03CV RGGCT TSM061NA03CV RGGCT-ND TSM061NA03CVRGGCT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 30 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1136pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 66A (Tc) |
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