| Artikelnummer | TSM35N10CP ROG | Hersteller | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 136704 pcs | Datenblatt | TSM35N10CP ROG.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 83.3W (Tc) | Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Andere Namen | TSM35N10CP ROGCT TSM35N10CP ROGCT-ND TSM35N10CPROGCT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 30 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1598pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 32A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
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