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TSC (Taiwan Semiconductor)
| Artikelnummer | TSM80N1R2CP ROG | Hersteller | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 104500 pcs | Datenblatt | TSM80N1R2CP ROG.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) | Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Andere Namen | TSM80N1R2CP ROGCT TSM80N1R2CP ROGCT-ND TSM80N1R2CPROGCT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 30 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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| TNT | www.TNT.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
