Artikelnummer | RN4902,LF(CT | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1137681 pcs | Datenblatt | RN4902,LF(CT.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | US6 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Original-Reel® | Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | RN4902(T5LFT)DKR RN4902(T5LFT)DKR-ND RN4902LF(CTDKR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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