| Artikelnummer | EMD22T2R | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 749628 pcs | Datenblatt | 1.EMD22T2R.pdf2.EMD22T2R.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 2.5mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EMD22T2R-ND EMD22T2RTR Q2730364 |
Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | *MD22 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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| DHL | www.DHL.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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