EMD30T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMD30T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:	EMD30T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	781015 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 781015 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

8000 pcs: $0.036

16000 pcs: $0.033

24000 pcs: $0.031

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Spezifikationen von EMD30T2R

Artikelnummer	EMD30T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	781015 pcs	Datenblatt	EMD30T2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V, 30V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms, 1 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMD30T2R-ND EMD30T2RTR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz, 260MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA, 200mA	Basisteilenummer	*MD30

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FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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