EMD4T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMD4T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:	1.EMD4T2R.pdf 2.EMD4T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	503561 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 503561 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.212

10 pcs: $0.149

25 pcs: $0.122

100 pcs: $0.098

250 pcs: $0.071

500 pcs: $0.058

1000 pcs: $0.044

2500 pcs: $0.04

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Spezifikationen von EMD4T2R

Artikelnummer	EMD4T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	503561 pcs	Datenblatt	1.EMD4T2R.pdf 2.EMD4T2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms, 10 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Original-Reel®	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMD4T2RDKR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Basisteilenummer	*MD4

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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