APTM120U10SAG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM120U10SAG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Datenblätte:	1.APTM120U10SAG.pdf 2.APTM120U10SAG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	452 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 452 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $69.002

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Spezifikationen von APTM120U10SAG

Artikelnummer	APTM120U10SAG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	452 pcs	Datenblatt	1.APTM120U10SAG.pdf 2.APTM120U10SAG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 20mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SP6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (max)	3290W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP6	Andere Namen	APTM120U10SAGMI APTM120U10SAGMI-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	28900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1100nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	116A (Tc)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
TNT	www.TNT.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.

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