APTM120VDA57T3G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM120VDA57T3G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5902 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5902 pcs

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Spezifikationen von APTM120VDA57T3G

Artikelnummer	APTM120VDA57T3G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5902 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	POWER MOS 7®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Leistung - max	390W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP3	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	17A

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