APTM60A23FT1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM60A23FT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
Datenblätte:	1.APTM60A23FT1G.pdf 2.APTM60A23FT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4535 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4535 pcs

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Spezifikationen von APTM60A23FT1G

Artikelnummer	APTM60A23FT1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4535 pcs	Datenblatt	1.APTM60A23FT1G.pdf 2.APTM60A23FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	276 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max	208W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1	Andere Namen	APTM60A23UT1G APTM60A23UT1G-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5316pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A

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FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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