APTM60H23FT1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM60H23FT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Datenblätte:	1.APTM60H23FT1G.pdf 2.APTM60H23FT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2734 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2734 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $13.471

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Spezifikationen von APTM60H23FT1G

Artikelnummer	APTM60H23FT1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2734 pcs	Datenblatt	1.APTM60H23FT1G.pdf 2.APTM60H23FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	276 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max	208W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1	Andere Namen	APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5316pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V	Typ FET	4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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