JAN2N7335

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN2N7335
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Datenblätte:	JAN2N7335.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4659 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4659 pcs

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Spezifikationen von JAN2N7335

Artikelnummer	JAN2N7335	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4659 pcs	Datenblatt	JAN2N7335.pdf
Spannung - Prüfung	-	VGS (th) (Max) @ Id	1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Serie	Military, MIL-PRF-19500/599	RoHS Status	Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mA	Leistung - max	1.4W
Polarisation	14-DIP (0.300", 7.62mm)	Andere Namen	JAN2N7335-MIL
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	JAN2N7335
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
FET-Merkmal	4 P-Channel	Expanded Beschreibung	Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss)	Standard	Beschreibung	MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100V

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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