JAN2N7370

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN2N7370
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
Datenblätte:	JAN2N7370.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5993 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5993 pcs

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Spezifikationen von JAN2N7370

Artikelnummer	JAN2N7370	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 12A TO254	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5993 pcs	Datenblatt	JAN2N7370.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	3V @ 120mA, 12A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-254AA
Serie	Military, MIL-PRF-19500/624	Leistung - max	100W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Andere Namen	1086-16223 1086-16223-MIL	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	1000 @ 6A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	12A

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