2N7000

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7000
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
Datenblätte:	2N7000.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1071072 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1071072 pcs

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Spezifikationen von 2N7000

Artikelnummer	2N7000	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1071072 pcs	Datenblatt	2N7000.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±18V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	1W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Andere Namen	497-3110
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	350mA (Tc)

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