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ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
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Produktübersicht

Artikelnummer: ULN2803AFWG,C,EL
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Datenblätte: ULN2803AFWG,C,EL.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 5952 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5952 pcs
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Spezifikationen von ULN2803AFWG,C,EL

Artikelnummer ULN2803AFWG,C,EL Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5952 pcs Datenblatt ULN2803AFWG,C,EL.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor-Typ 8 NPN Darlington Supplier Device-Gehäuse 18-SOL
Serie - Leistung - max 1.31W
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Andere Namen ULN2803AFWG(5ELMCT
ULN2803AFWG(5ELMCT-ND
ULN2803AFWG(CELHACT
ULN2803AFWG(CELHACT-ND
ULN2803AFWG(OELMCT
ULN2803AFWG(OELMCT-ND
ULN2803AFWG5ELMCT
ULN2803AFWG5ELMCT-ND
ULN2803AFWGCELCT
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 350mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max) - Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA
Basisteilenummer ULN280*A

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLBETRAG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL www.DHL.com Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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